产品特征Model11800/11801适用于低频/高频电解电容之耐久性实验Model 11810适用于直流/直流转换器的高频积层陶瓷电容器(MLCC)、固态有机半导体电容器(OS-CON)、固态电解电容器(Polymer Capacitor)之耐久性实验。全数字控制主动定涟波电流，定峰值电压(=Vdc+Vac_peak)功用，作业简略专利规划四线式治具，确

  C3D04065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技能针对高功能电力电子运用进行了优化；包含服务器电源；电动汽车充电体系；储能体系；太阳能（PV）逆变器；和消费电子科技类产品。。C3D04065E优点• 用单极整流器替代双极• 基本上没开关损耗• 更高的功率• 下降散热器要求• 没有热失控的

  C3D16065D为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技能针对高功能电力电子运用进行了优化；包含服务器电源；电动汽车充电体系；储能体系；太阳能（PV）逆变器；和消费电子科技类产品。。C3D16065D优点• 用单极整流器替代双极• 基本上没开关损耗• 更高的功率• 下降散热器要求• 没有热失控的

  CPW4-1200-S008B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二极管 – 第 3 代。运用 Wolfspeed 的第 4 代 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管系列可下降体系尺度、分量和冷却要求。这些二极管供给极快的开关；零正反向恢复；和高频操作。针对高频电力电子运用进行了优化，包含电动汽车 (EV) 充电；商用车; 太阳能体系

  D5006UK是TT Electronics镀金多用途硅 DMOS RF FET。 D5006UK特征简化的放大器规划适用于宽带运用低温RSS简略的偏置电路低噪声高增益 – 最小 16 dB 镀金多用途硅DMOS射频场效应管100W – 28V – 500MHz单端包裹：DP装备：单端作业电压：20V功率输出: 5W最低功率：50取得：13测验频率 ：1GH

  D1211UK是TT Electronics镀金多用途硅 DMOS RF FET。D1211UK特征简化的放大器规划适用于宽带运用低温RSS简略的偏置电路低噪声高增益 – 最小 16 dB 镀金多用途硅DMOS射频场效应管100W – 28V – 500MHz单端包裹：DP装备：单端作业电压：20V功率输出: 5W最低功率：50取得：13测验频率 ：1GHz

  D2229UK是TT Electronics镀金多用途硅 DMOS RF FET。D2229UK特征简化的放大器规划适用于宽带运用低温RSS简略的偏置电路低噪声高增益 – 最小 16 dB 镀金多用途硅DMOS射频场效应管100W – 28V – 500MHz单端包裹：DP装备：单端作业电压：20V功率输出: 5W最低功率：50取得：13测验频率 ：1GHz

  PTGA090304MD-V2 宽带 LDMOS 两级集成功率放大器 2 x 20 W CREE

  描绘PTGA090304MD-V2 是宽带；用于宽带驱动器运用的两级 LDMOS 集成放大器。它具有内部匹配，可在 1805 至 2200 MHz 规模内运转。片上匹配功率高；和双独立输出，每个输出功率为 20 W。它选用带鸥翼引线 引线塑料包覆成型封装。PTGA090304MD-V2 特征用于宽带操作的片上匹配专为超宽带功能而规划典型的 CW 功能

  MACOM MAGE-102425-300S00射频功率放大器解决方案选用最新的 GaN-on-SiC 和 GaN-on-Si 技能规划。咱们的 MACOM PURE CARBIDE 系列 GaN-on-SiC 功率放大器为最严苛的运用供给高功能和可靠性。咱们持续扩展的 GaN 产品组合旨在满意航空航天和国防、工业、科学和医疗运用以及 5G 无线基础设施的挑

  MACOM MAPR-002729-170M00是规模广泛的硅双极晶体管产品，专为 DC 至 3.5 GHz 的运用而规划。咱们的硅双极晶体管很合适民用航空电子设备、通讯、网络、雷达以及工业、科学和医疗运用。咱们的全金金属化制作工艺可保证地上和太空运用的高功能和长时间可靠性。MAPR-002729-170M00特征饱满输出功率：24 dBm契合 RoHS*尺